垂直磁記錄薄膜實(shí)施剩余磁化測(cè)量時(shí)退磁場(chǎng)的補(bǔ)償

對(duì)于垂直磁記錄薄膜,進(jìn)行剩余磁化強(qiáng)度的測(cè)量時(shí),必須補(bǔ)償退磁場(chǎng).提出一種新方法,在直流退磁剩磁和等溫剩磁測(cè)量中采用有效反向磁場(chǎng)來(lái)直接補(bǔ)償退磁場(chǎng).從而可以正確地得出垂直磁記錄薄膜的ΔM曲線并評(píng)價(jià)晶粒間的磁相互作用.還采用了三種方法來(lái)確定其中的關(guān)鍵參數(shù)--退磁因子.結(jié)果表明,c軸垂直取向的鋇鐵氧體薄膜中,晶粒間的磁相互作用是交換偶合型的;而Co-Cr-Ta薄膜中,晶粒間磁相互作用是靜磁相互作用.

作 者： 馮潔   作者單位： 上海交通大學(xué)微納米科學(xué)技術(shù)研究院,上海,200030  刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(2)  分類號(hào)： O4  關(guān)鍵詞： 退磁場(chǎng)補(bǔ)償   直流退磁剩磁(DCD)   等溫剩磁(IRM)   ΔM曲線  

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