FeCuNbSiB多層膜的磁化特性與巨磁阻抗效應

用射頻磁控濺射法制備了FeCuNbSiB多層膜,制備態(tài)樣品的GMI效應在驅(qū)動電流頻率為12MHz時達到最大,為44.3%.利用復數(shù)磁導率和等效電路討論了該多層膜的磁化過程,及與GMI效應的關系.外加直流磁場抑制磁疇運動,在等效電路中與抵消并聯(lián)電路相關.樣品磁化的特征弛豫頻率在12MHz左右,與出現(xiàn)最大磁阻抗變化的頻率接近.

作 者： 林宏 袁望治 趙振杰 程金科 辛宏梁 吳志明 阮建中 楊燮龍 LIN Hong YUAN Wang-zhi ZHAO Zhen-jie CHENG Jin-ke XIN Hong-liang WU Zhi-ming RUAN Jian-zhong YANG Xie-long   作者單位： 華東師范大學物理系,上海,200062  刊 名： 功能材料與器件學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES  年，卷(期)： 2007 13(6)  分類號： O482.5 O442 O484  關鍵詞： 巨磁阻抗效應   磁導率   弛豫頻率   等效電路  

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